據報道，法國研究機構Leti of CEA Tech研發(fā)出一個生產高性能氮化鎵Micro led顯示屏的新工藝。相比現有方法，這項新工藝更簡單且更高效。
新工藝的第一步是將Micro LED芯片直接轉移到CMOS晶圓上。第二步是把由CMOS驅動電路和Micro LED芯片組成的每個完整像素點轉移到顯示基板上。
圖片來源：MICROLED-info
研究員指出，CMOS驅動器具備高性能，可以制造更多種類的Micro led顯示屏，從小尺寸可穿戴顯示器到大尺寸電視面板都能實現。
據稱，單個LED-CMOS單元是通過全半導體和晶圓級方法制造的，最終制成的顯示器不需要使用TFT（薄膜晶體管），這也是新工藝技術的另一個優(yōu)點。
目前，如何提高驅動電子的性能是制造Micro LED的一個挑戰(zhàn)，這需要更多功率來實現更加明亮的圖像，以及更快的速度來應對不斷增長的高顯示分辨率需求。
CEA-Leti研發(fā)的新工藝能夠通過簡化的轉移工藝來制造基于CMOS的高性能氮化鎵Micro LED顯示器，無需TFT背板。RGB Micro LED直接堆疊在微CMOS電路上，然后每個單元被轉移至簡單的接收基板上。最后，在單個半導體線上完成RGB Micro LED和背板的制造。
CEA-Leti光學器件戰(zhàn)略營銷經理François Templier表示，這項基于CMOS的工藝能夠生產出更高亮度和更高分辨率的Micro LED顯示器，可改變大型電視制造領域的“游戲規(guī)則”。
據悉，5月14日，CEA-Leti在2019顯示周上展示了這項突破性技術。
信息來源 3qled 顯示之家
